SI1557DH-T1-E3
Modello di prodotti:
SI1557DH-T1-E3
fabbricante:
Vishay / Siliconix
Descrizione:
MOSFET N/P-CH 12V 1.2A SC70-6
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
17789 Pieces
Scheda dati:
SI1557DH-T1-E3.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:1V @ 100µA
Contenitore dispositivo fornitore:SC-70-6 (SOT-363)
Serie:TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:235 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Potenza - Max:470mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:SI1557DH-T1-E3
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:1.2nC @ 4.5V
Tipo FET:N and P-Channel
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Descrizione espansione:Mosfet Array N and P-Channel 12V 1.2A, 770mA 470mW Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
Tensione drain-source (Vdss):12V
Descrizione:MOSFET N/P-CH 12V 1.2A SC70-6
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:1.2A, 770mA
Email:[email protected]

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