SI2343DS-T1-E3
Modello di prodotti:
SI2343DS-T1-E3
fabbricante:
Vishay / Siliconix
Descrizione:
MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
13918 Pieces
Scheda dati:
SI2343DS-T1-E3.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:SOT-23-3 (TO-236)
Serie:TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:53 mOhm @ 4A, 10V
Dissipazione di potenza (max):750mW (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Altri nomi:SI2343DS-T1-E3TR
SI2343DST1E3
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:14 Weeks
codice articolo del costruttore:SI2343DS-T1-E3
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:540pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:21nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:P-Channel 30V 3.1A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:3.1A (Ta)
Email:[email protected]

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