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SI4972DY-T1-GE3
- Modello di prodotti:
- SI4972DY-T1-GE3
- fabbricante:
- Vishay / Siliconix
- Descrizione:
- MOSFET 2N-CH 30V 10.8A 8-SOIC
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 17017 Pieces
- Scheda dati:
- SI4972DY-T1-GE3.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-SO |
| Serie: | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 14.5 mOhm @ 6A, 10V |
| Potenza - Max: | 3.1W, 2.5W |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | SI4972DY-T1-GE3 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1080pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 28nC @ 10V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET: | Standard |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 10.8A, 7.2A 3.1W, 2.5W Surface Mount 8-SO |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione: | MOSFET 2N-CH 30V 10.8A 8-SOIC |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 10.8A, 7.2A |
| Email: | [email protected] |
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