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SI5402DC-T1-E3
- Modello di prodotti:
- SI5402DC-T1-E3
- fabbricante:
- Vishay / Siliconix
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 13933 Pieces
- Scheda dati:
- SI5402DC-T1-E3.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1V @ 250µA (Min) |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 1206-8 ChipFET™ |
| Serie: | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 35 mOhm @ 4.9A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 1.3W (Ta) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-SMD, Flat Lead |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | SI5402DC-T1-E3 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 20nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 30V 4.9A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 1206-8 ChipFET™ |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 4.9A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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