Acquistare SI5471DC-T1-GE3 con BYCHPS
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Vgs (th) (max) a Id: | 1.1V @ 250µA |
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Vgs (Max): | ±12V |
Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore: | 1206-8 ChipFET™ |
Serie: | TrenchFET® |
Rds On (max) a Id, Vgs: | 20 mOhm @ 9.1A, 4.5V |
Dissipazione di potenza (max): | 2.5W (Ta), 6.3W (Tc) |
imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
Contenitore / involucro: | 8-SMD, Flat Lead |
Altri nomi: | SI5471DC-T1-GE3TR SI5471DCT1GE3 |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio: | Surface Mount |
Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
Produttore tempi di consegna standard: | 24 Weeks |
codice articolo del costruttore: | SI5471DC-T1-GE3 |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 2945pF @ 10V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 96nC @ 10V |
Tipo FET: | P-Channel |
Caratteristica FET: | - |
Descrizione espansione: | P-Channel 20V 6A (Tc) 2.5W (Ta), 6.3W (Tc) Surface Mount 1206-8 ChipFET™ |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 1.8V, 4.5V |
Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
Descrizione: | MOSFET P-CH 20V 6A 1206-8 |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 6A (Tc) |
Email: | [email protected] |