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SI5504BDC-T1-GE3
- Modello di prodotti:
- SI5504BDC-T1-GE3
- fabbricante:
- Vishay / Siliconix
- Descrizione:
- MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 14183 Pieces
- Scheda dati:
- SI5504BDC-T1-GE3.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | 1206-8 ChipFET™ |
| Serie: | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 65 mOhm @ 3.1A, 10V |
| Potenza - Max: | 3.12W, 3.1W |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-SMD, Flat Lead |
| Altri nomi: | SI5504BDC-T1-GE3TR SI5504BDCT1GE3 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 15 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | SI5504BDC-T1-GE3 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 220pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 7nC @ 10V |
| Tipo FET: | N and P-Channel |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array N and P-Channel 30V 4A, 3.7A 3.12W, 3.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™ |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione: | MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 4A, 3.7A |
| Email: | [email protected] |
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