SI5517DU-T1-E3
SI5517DU-T1-E3
Modello di prodotti:
SI5517DU-T1-E3
fabbricante:
Vishay / Siliconix
Descrizione:
MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
14821 Pieces
Scheda dati:
SI5517DU-T1-E3.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:1V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:PowerPAK® ChipFet Dual
Serie:TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:39 mOhm @ 4.4A, 4.5V
Potenza - Max:8.3W
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:PowerPAK® ChipFET™ Dual
Altri nomi:SI5517DU-T1-E3TR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:SI5517DU-T1-E3
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:520pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:16nC @ 8V
Tipo FET:N and P-Channel
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Descrizione espansione:Mosfet Array N and P-Channel 20V 6A 8.3W Surface Mount PowerPAK® ChipFet Dual
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione:MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:6A
Email:[email protected]

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