SI5853CDC-T1-E3
SI5853CDC-T1-E3
Modello di prodotti:
SI5853CDC-T1-E3
fabbricante:
Vishay / Siliconix
Descrizione:
MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
13792 Pieces
Scheda dati:
SI5853CDC-T1-E3.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:1V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:1206-8 ChipFET™
Serie:LITTLE FOOT®
Rds On (max) a Id, Vgs:104 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max):1.5W (Ta), 3.1W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-SMD, Flat Lead
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:SI5853CDC-T1-E3
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:350pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:11nC @ 8V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:Schottky Diode (Isolated)
Descrizione espansione:P-Channel 20V 4A (Tc) 1.5W (Ta), 3.1W (Tc) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione:MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:4A (Tc)
Email:[email protected]

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