SI6415DQ-T1-E3
Modello di prodotti:
SI6415DQ-T1-E3
fabbricante:
Vishay / Siliconix
Descrizione:
MOSFET P-CH 30V 6.5A 8-TSSOP
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
17984 Pieces
Scheda dati:
SI6415DQ-T1-E3.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:1V @ 250µA (Min)
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:8-TSSOP
Serie:TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:19 mOhm @ 6.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):1.5W (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Altri nomi:SI6415DQ-T1-E3TR
SI6415DQT1E3
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:15 Weeks
codice articolo del costruttore:SI6415DQ-T1-E3
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:70nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:P-Channel 30V 1.5W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET P-CH 30V 6.5A 8-TSSOP
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:-
Email:[email protected]

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