SI7138DP-T1-E3
SI7138DP-T1-E3
Modello di prodotti:
SI7138DP-T1-E3
fabbricante:
Vishay / Siliconix
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
18415 Pieces
Scheda dati:
SI7138DP-T1-E3.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PowerPAK® SO-8
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:7.8 mOhm @ 19.7A, 10V
Dissipazione di potenza (max):5.4W (Ta), 96W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:PowerPAK® SO-8
Altri nomi:SI7138DP-T1-E3TR
SI7138DPT1E3
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:SI7138DP-T1-E3
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:6900pF @ 30V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:135nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 60V 30A (Tc) 5.4W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione:MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:30A (Tc)
Email:[email protected]

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