SI7322DN-T1-E3
SI7322DN-T1-E3
Modello di prodotti:
SI7322DN-T1-E3
fabbricante:
Vishay / Siliconix
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 18A PPAK 1212-8
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
13737 Pieces
Scheda dati:
SI7322DN-T1-E3.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4.4V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PowerPAK® 1212-8
Serie:TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:58 mOhm @ 5.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):3.8W (Ta), 52W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:PowerPAK® 1212-8
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:15 Weeks
codice articolo del costruttore:SI7322DN-T1-E3
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:750pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:20nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 100V 18A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Tensione drain-source (Vdss):100V
Descrizione:MOSFET N-CH 100V 18A PPAK 1212-8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:18A (Tc)
Email:[email protected]

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