SI7374DP-T1-E3
SI7374DP-T1-E3
Modello di prodotti:
SI7374DP-T1-E3
fabbricante:
Vishay / Siliconix
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
14016 Pieces
Scheda dati:
SI7374DP-T1-E3.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.8V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PowerPAK® SO-8
Serie:TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:5.5 mOhm @ 23.8A, 10V
Dissipazione di potenza (max):5W (Ta), 56W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:PowerPAK® SO-8
Altri nomi:SI7374DP-T1-E3TR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:15 Weeks
codice articolo del costruttore:SI7374DP-T1-E3
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:5500pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:122nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 30V 24A (Tc) 5W (Ta), 56W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:24A (Tc)
Email:[email protected]

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