SI7414DN-T1-GE3
SI7414DN-T1-GE3
Modello di prodotti:
SI7414DN-T1-GE3
fabbricante:
Vishay / Siliconix
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 5.6A 1212-8
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15944 Pieces
Scheda dati:
SI7414DN-T1-GE3.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PowerPAK® 1212-8
Serie:TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:25 mOhm @ 8.7A, 10V
Dissipazione di potenza (max):1.5W (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:PowerPAK® 1212-8
Altri nomi:SI7414DN-T1-GE3TR
SI7414DNT1GE3
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:15 Weeks
codice articolo del costruttore:SI7414DN-T1-GE3
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:25nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 60V 5.6A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione:MOSFET N-CH 60V 5.6A 1212-8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:5.6A (Ta)
Email:[email protected]

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