SI7463DP-T1-GE3
SI7463DP-T1-GE3
Modello di prodotti:
SI7463DP-T1-GE3
fabbricante:
Vishay / Siliconix
Descrizione:
MOSFET P-CH 40V 11A PPAK SO-8
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
17286 Pieces
Scheda dati:
SI7463DP-T1-GE3.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PowerPAK® SO-8
Serie:TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:9.2 mOhm @ 18.6A, 10V
Dissipazione di potenza (max):1.9W (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:PowerPAK® SO-8
Altri nomi:SI7463DP-T1-GE3TR
SI7463DPT1GE3
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:15 Weeks
codice articolo del costruttore:SI7463DP-T1-GE3
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:140nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:P-Channel 40V 11A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):40V
Descrizione:MOSFET P-CH 40V 11A PPAK SO-8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:11A (Ta)
Email:[email protected]

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