Acquistare SI7601DN-T1-E3 con BYCHPS
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Vgs (th) (max) a Id: | 1.6V @ 250µA |
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Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore: | PowerPAK® 1212-8 |
Serie: | TrenchFET® |
Rds On (max) a Id, Vgs: | 19.2 mOhm @ 11A, 4.5V |
Dissipazione di potenza (max): | 3.8W (Ta), 52W (Tc) |
imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
Contenitore / involucro: | PowerPAK® 1212-8 |
temperatura di esercizio: | -50°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio: | Surface Mount |
Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
codice articolo del costruttore: | SI7601DN-T1-E3 |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1870pF @ 10V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 27nC @ 5V |
Tipo FET: | P-Channel |
Caratteristica FET: | - |
Descrizione espansione: | P-Channel 20V 16A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 |
Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
Descrizione: | MOSFET P-CH 20V 16A 1212-8 |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 16A (Tc) |
Email: | [email protected] |