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SI8404DB-T1-E1
- Modello di prodotti:
- SI8404DB-T1-E1
- fabbricante:
- Vishay / Siliconix
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 8V 12.2A 2X2 4-MFP
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 18749 Pieces
- Scheda dati:
- SI8404DB-T1-E1.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 4-Microfoot |
| Serie: | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 31 mOhm @ 1A, 4.5V |
| Dissipazione di potenza (max): | 2.78W (Ta), 6.25W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 4-XFBGA, CSPBGA |
| Altri nomi: | SI8404DB-T1-E1TR |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | SI8404DB-T1-E1 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1950pF @ 4V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 33nC @ 5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 8V 12.2A (Tc) 2.78W (Ta), 6.25W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot |
| Tensione drain-source (Vdss): | 8V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 8V 12.2A 2X2 4-MFP |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 12.2A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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