SI8489EDB-T2-E1
SI8489EDB-T2-E1
Modello di prodotti:
SI8489EDB-T2-E1
fabbricante:
Vishay / Siliconix
Descrizione:
MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15847 Pieces
Scheda dati:
SI8489EDB-T2-E1.pdf

introduzione

BYCHIPS è il distributore di calze per SI8489EDB-T2-E1, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per SI8489EDB-T2-E1 via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Acquistare SI8489EDB-T2-E1 con BYCHPS
Acquista con garanzia

Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:1.2V @ 250µA
Vgs (Max):±12V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:4-Microfoot
Serie:TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:44 mOhm @ 1.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):780mW (Ta), 1.8W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:4-UFBGA
Altri nomi:SI8489EDB-T2-E1TR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:24 Weeks
codice articolo del costruttore:SI8489EDB-T2-E1
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:765pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:27nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:P-Channel 20V 780mW (Ta), 1.8W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):2.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione:MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:-
Email:[email protected]

Richiesta rapida citazione

Modello di prodotti
Quantità
Azienda
E-mail
Numero di telefono
Note / Commenti