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SI8812DB-T2-E1
- Modello di prodotti:
- SI8812DB-T2-E1
- fabbricante:
- Vishay / Siliconix
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 20V MICROFOOT
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 14096 Pieces
- Scheda dati:
- SI8812DB-T2-E1.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±5V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 4-Microfoot |
| Serie: | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 59 mOhm @ 1A, 4.5V |
| Dissipazione di potenza (max): | 500mW (Ta) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 4-UFBGA |
| Altri nomi: | SI8812DB-T2-E1TR SI8812DBT2E1 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 24 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | SI8812DB-T2-E1 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 17nC @ 8V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 20V 500mW (Ta) Surface Mount 4-Microfoot |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 1.2V, 4.5V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 20V MICROFOOT |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | - |
| Email: | [email protected] |
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