SIA810DJ-T1-E3
SIA810DJ-T1-E3
Modello di prodotti:
SIA810DJ-T1-E3
fabbricante:
Vishay / Siliconix
Descrizione:
MOSFET N-CH 20V 4.5A SC-70-6
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19946 Pieces
Scheda dati:
SIA810DJ-T1-E3.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:1V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PowerPAK® SC-70-6 Dual
Serie:LITTLE FOOT®
Rds On (max) a Id, Vgs:53 mOhm @ 3.7A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max):1.9W (Ta), 6.5W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:PowerPAK® SC-70-6 Dual
Altri nomi:SIA810DJ-T1-E3TR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:SIA810DJ-T1-E3
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:400pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:11.5nC @ 8V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:Schottky Diode (Isolated)
Descrizione espansione:N-Channel 20V 4.5A (Tc) 1.9W (Ta), 6.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione:MOSFET N-CH 20V 4.5A SC-70-6
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:4.5A (Tc)
Email:[email protected]

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