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SIA850DJ-T1-GE3
- Modello di prodotti:
- SIA850DJ-T1-GE3
- fabbricante:
- Vishay / Siliconix
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 190V 0.95A SC70-6
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 15444 Pieces
- Scheda dati:
- SIA850DJ-T1-GE3.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1.4V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Serie: | LITTLE FOOT® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 3.8 Ohm @ 360mA, 4.5V |
| Dissipazione di potenza (max): | 1.9W (Ta), 7W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Altri nomi: | SIA850DJ-T1-GE3-ND SIA850DJ-T1-GE3TR SIA850DJT1GE3 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | SIA850DJ-T1-GE3 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 90pF @ 100V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 4.5nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | Schottky Diode (Isolated) |
| Descrizione espansione: | N-Channel 190V 950mA (Tc) 1.9W (Ta), 7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Tensione drain-source (Vdss): | 190V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 190V 0.95A SC70-6 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 950mA (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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