SIE864DF-T1-GE3
SIE864DF-T1-GE3
Modello di prodotti:
SIE864DF-T1-GE3
fabbricante:
Vishay / Siliconix
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 45A POLARPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
17919 Pieces
Scheda dati:
SIE864DF-T1-GE3.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:10-PolarPAK® (U)
Serie:TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:5.6 mOhm @ 20A, 10V
Dissipazione di potenza (max):5.2W (Ta), 25W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:10-PolarPAK® (U)
Altri nomi:SIE864DF-T1-GE3TR
SIE864DFT1GE3
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:SIE864DF-T1-GE3
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1510pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:38nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 30V 45A (Tc) 5.2W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (U)
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET N-CH 30V 45A POLARPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:45A (Tc)
Email:[email protected]

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