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SIHB33N60EF-GE3
- Modello di prodotti:
- SIHB33N60EF-GE3
- fabbricante:
- Vishay / Siliconix
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 600V 33A TO-263
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 15981 Pieces
- Scheda dati:
- SIHB33N60EF-GE3.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±30V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | D²PAK (TO-263) |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 98 mOhm @ 16.5A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 278W (Tc) |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 22 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | SIHB33N60EF-GE3 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 3454pF @ 100V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 155nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 600V 33A (Tc) 278W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263) |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 600V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 600V 33A TO-263 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 33A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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