SIHF12N50C-E3
SIHF12N50C-E3
Modello di prodotti:
SIHF12N50C-E3
fabbricante:
Vishay / Siliconix
Descrizione:
MOSFET N-CH 500V 12A TO-220
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19052 Pieces
Scheda dati:
SIHF12N50C-E3.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220 Full Pack
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:555 mOhm @ 4A, 10V
Dissipazione di potenza (max):36W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3 Full Pack
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:14 Weeks
codice articolo del costruttore:SIHF12N50C-E3
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1375pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:48nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 500V 12A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
Tensione drain-source (Vdss):500V
Descrizione:MOSFET N-CH 500V 12A TO-220
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:12A (Tc)
Email:[email protected]

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