SIR474DP-T1-GE3
SIR474DP-T1-GE3
Modello di prodotti:
SIR474DP-T1-GE3
fabbricante:
Vishay / Siliconix
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19533 Pieces
Scheda dati:
SIR474DP-T1-GE3.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PowerPAK® SO-8
Serie:TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:9.5 mOhm @ 10A, 10V
Dissipazione di potenza (max):3.9W (Ta), 29.8W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:PowerPAK® SO-8
Altri nomi:SIR474DP-T1-GE3-ND
SIR474DP-T1-GE3TR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:12 Weeks
codice articolo del costruttore:SIR474DP-T1-GE3
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:985pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:27nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 30V 20A (Tc) 3.9W (Ta), 29.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:20A (Tc)
Email:[email protected]

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