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SPB04N60C3
- Modello di prodotti:
- SPB04N60C3
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 650V 4.5A D2PAK
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 14242 Pieces
- Scheda dati:
- SPB04N60C3.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per SPB04N60C3, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per SPB04N60C3 via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 3.9V @ 200µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TO263-3-2 |
| Serie: | CoolMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 950 mOhm @ 2.8A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 50W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Altri nomi: | SP000013533 SPB04N60C3ATMA1 SPB04N60C3INTR SPB04N60C3XT SPB04N60C3XTINTR SPB04N60C3XTINTR-ND |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 12 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | SPB04N60C3 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 490pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 25nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 650V 4.5A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 650V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 650V 4.5A D2PAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 4.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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