SPB07N60C3
SPB07N60C3
Modello di prodotti:
SPB07N60C3
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 650V 7.3A D2PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15403 Pieces
Scheda dati:
SPB07N60C3.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3.9V @ 350µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-TO263-3-2
Serie:CoolMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:600 mOhm @ 4.6A, 10V
Dissipazione di potenza (max):83W (Tc)
imballaggio:Original-Reel®
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi:SPB07N60C3INDKR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:8 Weeks
codice articolo del costruttore:SPB07N60C3
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:790pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:27nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 650V 7.3A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):650V
Descrizione:MOSFET N-CH 650V 7.3A D2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:7.3A (Tc)
Email:[email protected]

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