Acquistare SPB100N03S2L-03 G con BYCHPS
Acquista con garanzia
SPB100N03S2L-03 G
- Modello di prodotti:
- SPB100N03S2L-03 G
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 12805 Pieces
- Scheda dati:
- SPB100N03S2L-03 G.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per SPB100N03S2L-03 G, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per SPB100N03S2L-03 G via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TO263-3-2 |
| Serie: | OptiMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 2.7 mOhm @ 80A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 300W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Altri nomi: | SP000200141 SPB100N03S2L03GXT |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | SPB100N03S2L-03 G |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 8180pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 220nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 30V 100A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 100A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per SPB100N03S2L-03 G
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
SPB100N03S2L-03 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK | Inchiesta |
|
SPB100N03S2L03T | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK | Inchiesta |
|
SPB100N03S203T | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK | Inchiesta |
|
SPB100N03S2-03 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK | Inchiesta |
|
SPB100N03S2-03 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK | Inchiesta |
|
SPB100N04S2-04 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK | Inchiesta |
|
SPB100N08S2L-07 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK | Inchiesta |
|
SPB100N08S2-07 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK | Inchiesta |
|
SPB100N04S2L-03 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK | Inchiesta |
|
SPB100N06S2L-05 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK | Inchiesta |
Latest Notizie
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers