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SPD07N60C3BTMA1
- Modello di prodotti:
- SPD07N60C3BTMA1
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 650V 7.3A DPAK
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 13734 Pieces
- Scheda dati:
- SPD07N60C3BTMA1.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 3.9V @ 350µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TO252-3 |
| Serie: | CoolMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 600 mOhm @ 4.6A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 83W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Altri nomi: | SP000077605 SP000313947 SPD07N60C3 SPD07N60C3INTR SPD07N60C3INTR-ND |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | SPD07N60C3BTMA1 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 790pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 27nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 650V 7.3A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 650V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 650V 7.3A DPAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 7.3A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per SPD07N60C3BTMA1
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
SPD07N60S5T | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK | Inchiesta |
|
SPD07N20GBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 7A TO252 | Inchiesta |
|
SPD07N60S5 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK | Inchiesta |
 |
IPB031N08N5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V TO263-3 | Inchiesta |
|
SPD07N20 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 7A TO-252 | Inchiesta |
|
SPD07N60C3T | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 7.3A DPAK | Inchiesta |
 |
SPD07N60C3ATMA1 | Infineon Technologies | LOW POWER_LEGACY | Inchiesta |
 |
APTM100SKM90G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 78A SP6 | Inchiesta |
 |
NIF9N05CLT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223 | Inchiesta |
 |
ZXMN2A14FTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3 | Inchiesta |
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