Acquistare SPI11N60S5BKSA1 con BYCHPS
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Vgs (th) (max) a Id: | 5.5V @ 500µA |
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Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TO262-3-1 |
Serie: | CoolMOS™ |
Rds On (max) a Id, Vgs: | 380 mOhm @ 7A, 10V |
Dissipazione di potenza (max): | 125W (Tc) |
imballaggio: | Tube |
Contenitore / involucro: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Altri nomi: | SP000013033 SP000680992 SPI11N60S5 SPI11N60S5-ND SPI11N60S5IN SPI11N60S5IN-ND SPI11N60S5X SPI11N60S5XK |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio: | Through Hole |
Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
codice articolo del costruttore: | SPI11N60S5BKSA1 |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1460pF @ 25V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 54nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Caratteristica FET: | - |
Descrizione espansione: | N-Channel 600V 11A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1 |
Tensione drain-source (Vdss): | 600V |
Descrizione: | MOSFET N-CH 600V 11A TO-262 |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 11A (Tc) |
Email: | [email protected] |