Acquistare SPI20N60C3XKSA1 con BYCHPS
Acquista con garanzia
Vgs (th) (max) a Id: | 3.9V @ 1mA |
---|---|
Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TO262-3-1 |
Serie: | CoolMOS™ |
Rds On (max) a Id, Vgs: | 190 mOhm @ 13.1A, 10V |
Dissipazione di potenza (max): | 208W (Tc) |
imballaggio: | Tube |
Contenitore / involucro: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Altri nomi: | SP000681006 SPI20N60C3 SPI20N60C3-ND SPI20N60C3IN SPI20N60C3IN-ND SPI20N60C3X SPI20N60C3XK |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio: | Through Hole |
Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
Produttore tempi di consegna standard: | 8 Weeks |
codice articolo del costruttore: | SPI20N60C3XKSA1 |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 2400pF @ 25V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 114nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Caratteristica FET: | - |
Descrizione espansione: | N-Channel 650V 20.7A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1 |
Tensione drain-source (Vdss): | 650V |
Descrizione: | MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-262 |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 20.7A (Tc) |
Email: | [email protected] |