SPI80N06S2L-11
SPI80N06S2L-11
Modello di prodotti:
SPI80N06S2L-11
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile:
17802 Pieces
Scheda dati:
SPI80N06S2L-11.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2V @ 93µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-TO262-3-1
Serie:OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:11 mOhm @ 40A, 10V
Dissipazione di potenza (max):158W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Altri nomi:SP000029960
SPI80N06S2L11
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:SPI80N06S2L-11
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2650pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:80nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 55V 80A (Tc) 158W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Tensione drain-source (Vdss):55V
Descrizione:MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:80A (Tc)
Email:[email protected]

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