SPP02N60C3HKSA1
SPP02N60C3HKSA1
Modello di prodotti:
SPP02N60C3HKSA1
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 650V 1.8A TO-220AB
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
14992 Pieces
Scheda dati:
SPP02N60C3HKSA1.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3.9V @ 80µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-TO220-3-1
Serie:CoolMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:3 Ohm @ 1.1A, 10V
Dissipazione di potenza (max):25W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3
Altri nomi:SP000013523
SPP02N60C3
SPP02N60C3IN
SPP02N60C3IN-ND
SPP02N60C3X
SPP02N60C3XK
SPP02N60C3XTIN
SPP02N60C3XTIN-ND
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:SPP02N60C3HKSA1
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:200pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:12.5nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 650V 1.8A (Tc) 25W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Tensione drain-source (Vdss):650V
Descrizione:MOSFET N-CH 650V 1.8A TO-220AB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:1.8A (Tc)
Email:[email protected]

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