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SPP10N10L
- Modello di prodotti:
- SPP10N10L
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 100V 10.3A TO-220
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 19323 Pieces
- Scheda dati:
- SPP10N10L.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per SPP10N10L, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per SPP10N10L via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2V @ 21µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TO220-3-1 |
| Serie: | SIPMOS® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 154 mOhm @ 8.1A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 50W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-220-3 |
| Altri nomi: | SP000013849 SPP10N10LX |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | SPP10N10L |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 444pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 22nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 100V 10.3A (Tc) 50W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 100V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 100V 10.3A TO-220 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 10.3A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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