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SPP12N50C3HKSA1
- Modello di prodotti:
- SPP12N50C3HKSA1
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 560V 11.6A TO-220
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 12368 Pieces
- Scheda dati:
- SPP12N50C3HKSA1.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 3.9V @ 500µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TO220-3-1 |
| Serie: | CoolMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 380 mOhm @ 7A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 125W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-220-3 |
| Altri nomi: | SP000014459 SPP12N50C3 SPP12N50C3IN SPP12N50C3IN-ND SPP12N50C3X SPP12N50C3XK SPP12N50C3XTIN SPP12N50C3XTIN-ND |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | SPP12N50C3HKSA1 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1200pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 49nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 560V 11.6A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 560V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 560V 11.6A TO-220 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 11.6A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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