Acquistare SPP80N10L con BYCHPS
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Vgs (th) (max) a Id: | 2V @ 2mA |
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Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TO220-3-1 |
Serie: | SIPMOS® |
Rds On (max) a Id, Vgs: | 14 mOhm @ 58A, 10V |
Dissipazione di potenza (max): | 250W (Tc) |
imballaggio: | Tube |
Contenitore / involucro: | TO-220-3 |
Altri nomi: | SP000014349 SPP80N10LX |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo montaggio: | Through Hole |
Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
codice articolo del costruttore: | SPP80N10L |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 4540pF @ 25V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 240nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Caratteristica FET: | - |
Descrizione espansione: | N-Channel 100V 80A (Tc) 250W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1 |
Tensione drain-source (Vdss): | 100V |
Descrizione: | MOSFET N-CH 100V 80A TO-220 |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 80A (Tc) |
Email: | [email protected] |