Acquistare SPU09P06PL con BYCHPS
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Vgs (th) (max) a Id: | 2V @ 250µA |
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Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TO251-3 |
Serie: | SIPMOS® |
Rds On (max) a Id, Vgs: | 250 mOhm @ 6.8A, 10V |
Dissipazione di potenza (max): | 42W (Tc) |
imballaggio: | Tube |
Contenitore / involucro: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Altri nomi: | SP000012876 SPU09P06PLIN SPU09P06PLX SPU09P06PLXTIN SPU09P06PLXTIN-ND |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo montaggio: | Through Hole |
Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
codice articolo del costruttore: | SPU09P06PL |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 450pF @ 25V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 21nC @ 10V |
Tipo FET: | P-Channel |
Caratteristica FET: | - |
Descrizione espansione: | P-Channel 60V 9.7A (Tc) 42W (Tc) Through Hole PG-TO251-3 |
Tensione drain-source (Vdss): | 60V |
Descrizione: | MOSFET P-CH 60V 9.7A TO-251 |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 9.7A (Tc) |
Email: | [email protected] |