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SQ3460EV-T1_GE3
- Modello di prodotti:
- SQ3460EV-T1_GE3
- fabbricante:
- Vishay / Siliconix
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 19579 Pieces
- Scheda dati:
- SQ3460EV-T1_GE3.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±8V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 6-TSOP |
| Serie: | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 30 mOhm @ 5.1A, 4.5V |
| Dissipazione di potenza (max): | 3.6W (Tc) |
| imballaggio: | Original-Reel® |
| Contenitore / involucro: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Altri nomi: | SQ3460EV-T1-GE3DKR SQ3460EV-T1-GE3DKR-ND SQ3460EV-T1_GE3DKR |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 18 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | SQ3460EV-T1_GE3 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1060pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 14nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 20V 8A (Tc) 3.6W (Tc) Surface Mount 6-TSOP |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 1.8V, 4.5V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 8A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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