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SQJ570EP-T1_GE3
- Modello di prodotti:
- SQJ570EP-T1_GE3
- fabbricante:
- Vishay / Siliconix
- Descrizione:
- MOSFET ARRAY N/P-CH 100V SO8
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 12174 Pieces
- Scheda dati:
- SQJ570EP-T1_GE3.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Serie: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 45 mOhm @ 6A, 10V, 146 mOhm @ 6A, 10V |
| Potenza - Max: | 27W |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Altri nomi: | SQJ570EP-T1_GE3TR |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 13 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | SQJ570EP-T1_GE3 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 650pF @ 25V, 600pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 20nC @ 10V, 15nC @ 10V |
| Tipo FET: | N and P-Channel |
| Caratteristica FET: | Standard |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array N and P-Channel 100V 15A (Tc), 9.5A (Tc) 27W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual |
| Tensione drain-source (Vdss): | 100V |
| Descrizione: | MOSFET ARRAY N/P-CH 100V SO8 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 15A (Tc), 9.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per SQJ570EP-T1_GE3
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
DMN2029USD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 5.8A 8SO | Inchiesta |
 |
SI5902BDC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8 | Inchiesta |
 |
TPS1120D | Texas Instruments | MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC | Inchiesta |
 |
ECH8672-TL-H | ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 20V 3.5A ECH8 | Inchiesta |
 |
BUK9K5R1-30EX | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 40A 56LFPAK | Inchiesta |
 |
NTLJD4116NT1G | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 2.5A 6-WDFN | Inchiesta |
 |
SI7270DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8 | Inchiesta |
 |
ALD111933SAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC | Inchiesta |
 |
SI4944DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 9.3A 8-SOIC | Inchiesta |
|
ALD114804SCL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC | Inchiesta |
 |
SI5517DU-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET | Inchiesta |
|
SI4923DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 30V 6.2A 8-SOIC | Inchiesta |
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