SQJA82EP-T1_GE3
SQJA82EP-T1_GE3
Modello di prodotti:
SQJA82EP-T1_GE3
fabbricante:
Vishay / Siliconix
Descrizione:
MOSFET N-CH 80V 60A SO8
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15460 Pieces
Scheda dati:
SQJA82EP-T1_GE3.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PowerPAK® SO-8
Serie:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:8.2 mOhm @ 10A, 10V
Dissipazione di potenza (max):68W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:PowerPAK® SO-8
Altri nomi:SQJA82EP-T1_GE3TR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:13 Weeks
codice articolo del costruttore:SQJA82EP-T1_GE3
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:3000pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:60nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 80V 60A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):80V
Descrizione:MOSFET N-CH 80V 60A SO8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:60A (Tc)
Email:[email protected]

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