Acquistare SSM5G10TU(TE85L,F) con BYCHPS
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Vgs (th) (max) a Id: | 1V @ 1mA |
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Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore: | UFV |
Serie: | U-MOSIII |
Rds On (max) a Id, Vgs: | 213 mOhm @ 1A, 4V |
Dissipazione di potenza (max): | 500mW (Ta) |
imballaggio: | Cut Tape (CT) |
Contenitore / involucro: | 6-SMD (5 Leads), Flat Lead |
Altri nomi: | SSM5G10TU(TE85LF)CT |
temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
Tipo montaggio: | Surface Mount |
Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
codice articolo del costruttore: | SSM5G10TU(TE85L,F) |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 250pF @ 10V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 6.4nC @ 4V |
Tipo FET: | P-Channel |
Caratteristica FET: | Schottky Diode (Isolated) |
Descrizione espansione: | P-Channel 20V 1.5A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount UFV |
Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
Descrizione: | MOSFET P-CH 20V 1.5A UFV |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 1.5A (Ta) |
Email: | [email protected] |