SSM6J207FE,LF
SSM6J207FE,LF
Modello di prodotti:
SSM6J207FE,LF
fabbricante:
Toshiba Semiconductor
Descrizione:
MOSFET P-CH 30V 1.4A ES6
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
16073 Pieces
Scheda dati:
1.SSM6J207FE,LF.pdf2.SSM6J207FE,LF.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.6V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:ES6 (1.6x1.6)
Serie:U-MOSII
Rds On (max) a Id, Vgs:251 mOhm @ 650mA, 10V
Dissipazione di potenza (max):500mW (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:SOT-563, SOT-666
Altri nomi:SSM6J207FE(TE85L,F
SSM6J207FE(TE85LFTR
SSM6J207FE(TE85LFTR-ND
SSM6J207FE,LF(CA
SSM6J207FETE85LF
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:12 Weeks
codice articolo del costruttore:SSM6J207FE,LF
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:137pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:-
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:P-Channel 30V 1.4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount ES6 (1.6x1.6)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET P-CH 30V 1.4A ES6
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:1.4A (Ta)
Email:[email protected]

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