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SSM6K411TU(TE85L,F
- Modello di prodotti:
- SSM6K411TU(TE85L,F
- fabbricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 20V 10A
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 16809 Pieces
- Scheda dati:
- SSM6K411TU(TE85L,F.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1.2V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±12V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | UF6 |
| Serie: | U-MOSIV |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 12 mOhm @ 7A, 4.5V |
| Dissipazione di potenza (max): | 1W (Ta) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 6-SMD, Flat Leads |
| Altri nomi: | SSM6K411TU(TE85LFTR |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | SSM6K411TU(TE85L,F |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 710pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 9.4nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 20V 10A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount UF6 |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 2.5V, 4.5V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 20V 10A |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 10A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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