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SSM6N7002BFU,LF
- Modello di prodotti:
- SSM6N7002BFU,LF
- fabbricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET 2N-CH 60V 0.2A US6
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 15616 Pieces
- Scheda dati:
- 1.SSM6N7002BFU,LF.pdf2.SSM6N7002BFU,LF.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 3.1V @ 250µA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | US6 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 2.1 Ohm @ 500mA, 10V |
| Potenza - Max: | 300mW |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Altri nomi: | SSM6N7002BFU,LF(B SSM6N7002BFU,LF(T SSM6N7002BFULF SSM6N7002BFULFTR |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | SSM6N7002BFU,LF |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 17pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 200mA 300mW Surface Mount US6 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 60V |
| Descrizione: | MOSFET 2N-CH 60V 0.2A US6 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 200mA |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per SSM6N7002BFU,LF
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
SSM6N7002BFE(T5L,F | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6 | Inchiesta |
 |
SSM6N7002KFU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2N-CH 60V 0.3A | Inchiesta |
 |
SSM6N7002BFU(T5L,F | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2N-CH 60V 0.2A US6 | Inchiesta |
 |
SSM6N7002BFE,LM | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6 | Inchiesta |
|
SSM6N7002CFU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2N-CH 60V 0.17A US6 | Inchiesta |
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