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STB12NM50ND
- Modello di prodotti:
- STB12NM50ND
- fabbricante:
- ST
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 18535 Pieces
- Scheda dati:
- STB12NM50ND.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±25V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | D2PAK |
| Serie: | FDmesh™ II |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 380 mOhm @ 5.5A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 100W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Altri nomi: | 497-10026-2 |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 22 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | STB12NM50ND |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 850pF @ 50V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 30nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 500V 11A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 500V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 11A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per STB12NM50ND
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
STB12NM50FDT4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK | Inchiesta |
 |
IRF7466 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC | Inchiesta |
|
STB12NM50T4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 550V 12A D2PAK | Inchiesta |
 |
STB120N4F6 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK | Inchiesta |
|
STB12NM50N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK | Inchiesta |
 |
NTMS4935NR2G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC | Inchiesta |
 |
STB12NM60N-1 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK | Inchiesta |
 |
IRFR2607Z | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 42A DPAK | Inchiesta |
|
STB120NF10T4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 110A D2PAK | Inchiesta |
|
STB12NM60N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK | Inchiesta |
|
STB12NK80ZT4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 10.5A D2PAK | Inchiesta |
 |
STB120N4LF6 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK | Inchiesta |
|
STB120N10F4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V D2PAK | Inchiesta |
|
IPT111N20NFDATMA1 | Infineon Technologies | MV POWER MOS | Inchiesta |
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