STB200N6F3
STB200N6F3
Modello di prodotti:
STB200N6F3
fabbricante:
ST
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
17806 Pieces
Scheda dati:
STB200N6F3.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:D2PAK
Serie:STripFET™
Rds On (max) a Id, Vgs:3.6 mOhm @ 60A, 10V
Dissipazione di potenza (max):330W (Tc)
imballaggio:Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi:497-10025-1
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:STB200N6F3
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:6800pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:100nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 60V 120A (Tc) 330W (Tc) Surface Mount D2PAK
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione:MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:120A (Tc)
Email:[email protected]

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