STD10NM65N
STD10NM65N
Modello di prodotti:
STD10NM65N
fabbricante:
ST
Descrizione:
MOSFET N-CH 650V 9A DPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
16074 Pieces
Scheda dati:
STD10NM65N.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:D-Pak
Serie:MDmesh™ II
Rds On (max) a Id, Vgs:480 mOhm @ 4.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):90W (Tc)
imballaggio:Original-Reel®
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi:497-7957-6
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:26 Weeks
codice articolo del costruttore:STD10NM65N
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:850pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:25nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 650V 9A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount D-Pak
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):650V
Descrizione:MOSFET N-CH 650V 9A DPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:9A (Tc)
Email:[email protected]

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