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STD11NM65N
- Modello di prodotti:
- STD11NM65N
- fabbricante:
- ST
- Descrizione:
- MOSFET N CH 650V 11A DPAK
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 17490 Pieces
- Scheda dati:
- STD11NM65N.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per STD11NM65N, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per STD11NM65N via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | DPAK |
| Serie: | MDmesh™ II |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 455 mOhm @ 5.5A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 110W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Altri nomi: | 497-13352-2 |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 26 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | STD11NM65N |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 800pF @ 50V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 29nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 650V 11A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount DPAK |
| Tensione drain-source (Vdss): | 650V |
| Descrizione: | MOSFET N CH 650V 11A DPAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 11A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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