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STD1HNC60T4
- Modello di prodotti:
- STD1HNC60T4
- fabbricante:
- ST
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Contiene piombo / RoHS non conforme
- quantità disponibile:
- 18391 Pieces
- Scheda dati:
- STD1HNC60T4.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | D-Pak |
| Serie: | PowerMESH™ II |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 5 Ohm @ 1A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 50W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Altri nomi: | 497-2485-2 |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | STD1HNC60T4 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 228pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 15.5nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 600V 2A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount D-Pak |
| Tensione drain-source (Vdss): | 600V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 600V 2A DPAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 2A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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