STD4NK100Z
STD4NK100Z
Modello di prodotti:
STD4NK100Z
fabbricante:
ST
Descrizione:
MOSFET N-CH 1000V 2.2A DPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
17228 Pieces
Scheda dati:
STD4NK100Z.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4.5V @ 50µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:DPAK
Serie:Automotive, AEC-Q101, SuperMESH™
Rds On (max) a Id, Vgs:6.8 Ohm @ 1.1A, 10V
Dissipazione di potenza (max):90W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi:497-16035-2
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:26 Weeks
codice articolo del costruttore:STD4NK100Z
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:601pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:18nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 1000V (1kV) 2.2A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount DPAK
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):1000V (1kV)
Descrizione:MOSFET N-CH 1000V 2.2A DPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:2.2A (Tc)
Email:[email protected]

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