STFI10NK60Z
STFI10NK60Z
Modello di prodotti:
STFI10NK60Z
fabbricante:
ST
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK FP
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12073 Pieces
Scheda dati:
STFI10NK60Z.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4.5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:I2PAKFP (TO-281)
Serie:SuperMESH™
Rds On (max) a Id, Vgs:750 mOhm @ 4.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):35W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-262-3 Full Pack, I²Pak
Altri nomi:497-12855-5
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:STFI10NK60Z
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1370pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:70nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 600V 10A (Tc) 35W (Tc) Through Hole I2PAKFP (TO-281)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione:MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK FP
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:10A (Tc)
Email:[email protected]

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